Donazioni 15 September, 2024 – 1 Ottobre, 2024
Sulla raccolta fondi
ricerca dei libri
libri
Donazioni:
68.6% compiuto
Entrare
Entrare
gli utenti autorizzati hanno accesso a:
raccomandazioni personali
Telegram bot
cronologia dei download
inviare a email o Kindle
gestione delle raccolte
salvare nei preferiti
Personale
Richieste di libro
Studia
Z-Recommend
Elenco libri
Più popolari
Categorie
Partecipazione
Donare
Caricamenti
Litera Library
Dona i libri cartacei
Aggiungi i libri cartacei
Search paper books
Mio LITERA Point
Ricerca termini
Main
Ricerca termini
search
1
Мікроелектроніка. Елементи мікроелектроніки. Частина 1
Вища школа
Прищепа М.М.
,
Погребняк В.П.
рис
заряду
області
типу
транзистора
напруги
носіїв
переходу
струм
імс
електронів
силіцію
мдн
умов
струму
каналу
зміщення
провідності
значення
транзисторів
напруга
бази
напівпровідника
концентрація
стоку
база
поверхні
дірок
неосновних
областей
домішки
область
опз
gst
можемо
поля
діода
коефіцієнт
товщина
електричного
мкм
перехід
ємність
оскільки
напругу
фермі
використовують
формулою
si02
основи
Anno:
2004
Lingua:
ukrainian
File:
DJVU, 5.26 MB
I tuoi tag:
0
/
0
ukrainian, 2004
2
Екситоніка низькорозмірних систем
Шпак А.П.
,
Куницький Ю.А.
,
Смик С.Ю.
поверхні
рис
атомів
силіцію
електронів
станів
енергія
квантових
gaas
шару
зв’язку
напівпровідника
зони
енергії
поверхневих
екситона
фази
електрона
структури
шарів
області
зростання
напівпровідникових
поверхневої
ями
електрони
оскільки
підкладки
властивості
дірки
атоми
екситонів
провідності
квантові
структур
дірок
межі
істотно
відбувається
квантової
поглинання
хрому
взаємодії
значення
поверхнева
силіцій
системи
заряду
скт
спектр
Lingua:
ukrainian
File:
PDF, 2.05 MB
I tuoi tag:
0
/
0
ukrainian
3
Мікроелектроніка. Елементи мікросхем. Збірник задач. Навчальний посібник
Вища школа
Прищепа М.М.
,
Погребняк В.П.
визначають
струм
області
переходу
типу
транзистора
розраховують
електронів
заряду
виразом
носіїв
формулою
зміщення
коефіцієнт
значення
напруга
дірок
розрахувати
насичення
температури
визначити
неосновних
умов
мкм
опір
конденсатора
база
бази
рис
колектора
домішки
товщина
резистора
концентрація
емітера
обчислюють
відносна
струму
розміри
діода
ємність
концентрації
напруги
довжина
спіралі
витік
колектор
похибка
прямого
силіції
Anno:
2005
Lingua:
ukrainian
File:
DJVU, 2.64 MB
I tuoi tag:
0
/
0
ukrainian, 2005
4
Хімія. 10 клас. Підручник для загальноосвітніх навчальних закладів
Перун
Буринська Н.М.
,
Величко Л.П.
карбону
речовин
речовини
кислоти
моль
реакції
властивості
сульфуру
сн2
газ
оксид
атомів
рівняння
сн3
s02
аміаку
сполук
солі
кислота
сполуки
утворюється
реакцій
молекули
складу
органічних
вигляді
вугілля
метану
нітрогену
напишіть
газу
натрію
оксиду
природі
фосфор
ї
воді
відбувається
сі
кальцію
хімічні
амонію
використовують
добування
нафти
силіцію
вуглеводнів
с02
сульфатної
водою
Anno:
2004
Lingua:
ukrainian
File:
DJVU, 8.45 MB
I tuoi tag:
0
/
0
ukrainian, 2004
1
Segui
questo link
o cerca il bot "@BotFather" in Telegram
2
Invia il comando /newbot
3
Inserisci un nome del tuo bot
4
Inserisci un nome utente del bot
5
Copia l'ultimo messaggio da BotFather e incollalo qui
×
×